📰 我国成功研制出三维多层片上电容，可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片

我国成功研制出三维多层片上电容，可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片

<p data-vmark="7e28">IT之家 6 月 12 日消息，据上海证券报今日报道，湖北江城实验室近期<strong>在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米 1000 纳法</strong>。</p><p data-vmark="bab1">据介绍，<strong>该电容可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片</strong>，支撑高算力、低功耗芯片研发。</p><p data-vmark="e634">IT之家从报道中获悉，这款片上电容可以直接做在芯片内部或紧邻的硅基板内，越靠近核心，越适合 AI 芯片纳秒级大电流瞬态响应，<strong>目标客户涵盖国内的 CPU、GPU、手机处理器等芯片厂商</strong>。</p><p data-vmark="2c29">目前，<strong>相关技术正在开展工艺流片及小批量试产</strong&

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